Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.
|
|
- Aysu Terzi
- 5 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 TRANZİSTÖRLERİN ÇALIŞMASI VE KARAKTERİSTİKLERİ Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir. Temel kavramlar PNP ve NPN olmak üzere iki çeşit BJT tranzistör vardır. Bunlar, iki adet diyotun birleştirilmesine benzerler. Orta katman baz (base) olmak üzere diğer iki ucunda emetör (emitter) ve kolektör (collector) olarak adlandırılan katmanlar vardır. Bu katmanlar bir iletken uç ile dışarı çıkarılır ve paketlenir. Şekil 1'de bu tranzistörlerin sembolik gösterimleri gösterilmiştir. Şekil 2 de ise terminal bacaklarının isimlendirilmesine örnek bir tranzistörün (BC547) dış görünüşü ile birlikte terminal uçlarının dizilimi verilmiştir. Şekil 1: NPN ve PNP tranzistörlerde P, N katmanları ve terminaller Şekil 2: Örnek bir tranzistörün (BC547), fiziksel görünümü ve uçlarının gösterimi (Not: V BE gerilimi, Baz ve Emetör arası gerilimi ifade eder. Baz terminali + kutbu ifade eder. V B ise, baz gerilimini ifade eder.) Kazanç α DC Doğru polarizasyon altında, kolektördeki akım emetördeki akıma hemen hemen eşittir. Emetör ve kolektör arasındaki ilişkiyi gösteren α DC kazanç değeri aşağıdaki gibi tanımlanır: α DC = I C I E Bu değer birçok durumda yaklaşık olarak 1 e eşittir. 1
2 Ortak emetör devresi ve kutuplanması şekil 3 de gösterilmiştir. Şekil 3: Örnek bir ortak emetör devresi Kazanç β DC Bu kazanç şu şekilde ifade edilir: β DC = I C I B Bunun değer bazen 1000 değerine kadar yükselse bile, genellikle 50 ile 300 arasındadır. H-parametreleri modelinde h fe olarak ifade edilir. α DC ile β DC arasındaki ilişki Kirchhoff kanunları ve basit birkaç işlem yardımı ile parametreler arasındaki ilişki belirlenebilir. Bu işlem adımları aşağıda belirtilmiştir. I E = I B + I C I E I C = I B I C + I C I C 1 = α DC β DC α DC β DC = 1 α DC 2
3 Tranzistörlerin Karakteristikleri Bir tranzistörün çalışmasını anlamanın bir yolu da, tranzistörün akım - gerilim grafiklerini incelemektir. Baz terminalinin hesaba katılmasından dolayı, tranzistörlerin I-V grafikleri diyotlara göre daha karmaşık olur. Kolektör (Collector) Eğrileri Şekil 4(a)'daki gibi bir ortak emetörlü tranzistör devresinden kolektör eğrilerine ilişkin bilgiler elde edilebilir. Örneğin Şekil 4(b)'de görüldüğü üzere, I B =10μA değerine ayarlanarak, V CC değeri değiştirilir. Buna karşın I C ve V CE değerleri ölçülür. Ölçümlerin grafiğe aktarılması durumunda, Şekil 4(b)'deki grafik elde edilir. Bu grafikte tranzistörün nasıl çalıştığı görülmektedir. V CE sıfıra çok yakın bir değer ile 1V arasında iken, kolektör akımı büyük eğimli bir artış göstererek artar ve sonra hemen hemen sabit kalır. Bunu kolektör olan diyotun ters polarizasyon durumu olarak düşünebiliriz. Ters kutuplanmış bir diyotun delinme gerilimi yaklaşık 0.7V dir. Bu değere ulaşıldığında, tüm elektronların akışı kolektör üzerinden olur. Eğrinin eğimi çok küçük olduğundan, V CE gerilimindeki artışa rağmen kolektör akımı, dikkate değer bir artış göstermez. Bakınız Şekil 4(b). Delinme noktası Şekil 4: Kolektör eğrileri Tranzistörün β DC = 100 olması durumunda, kolektör akımı baz akımının 100 katı olur. V CE gerilim değeri çok fazla artırılır ise kolektör diyotu delinir ve tranzistör beklenen işlevini yerine getiremez. Bir tranzistördeki maksimum gerilim değişimi, kolektör - emetör terminallerinin gerilim değişimi kadardır. Şekil 4(c)'de görüldüğü üzere; V CE gerilimi, 1 V ile delinme gerilimi arasında değişebilir. Bu aktif çalışma aralığında tutulduğu sürece tranzistör kontrollü akım kaynağı olarak görev yapar. Bu aralık dışında tutulduğunda tranzistör görev yapamaz. I B =20μA durumunda I C -V CE grafiği Şekil 4(c)'deki gibi elde edilir. Bu eğri, Şekil 4(b) ile benzerdir. Bir farkla ki, dirsek noktası üzerinde kolektör akımı I C =2 ma dir. 3
4 I B akımının farklı değerleri için söz konusu eğrilerin çizilmesi durumunda, Şekil 5'de gösterildiği şekilde elde edilir. β DC = 100 olan bir tranzistör kullandığımızı söylediğimize göre, normal gerilim bölgesi içindeki her nokta için kolektör akımı baz akımı değerinin 100 katı olur. DC gerilim ve akım değerleri ile çizildiğinden bunlara çoğu zaman statik kolektör eğrileri denir. Şekil 5: Farklı I B değerleri için karakteristik eğrilerin gösterimi Baz akımının sıfır olduğu eğri dikkate alınır ise, kolektör diyotundan gelen sızıntı akımı nedeniyle kolektörde ufak bir akım gözlemlenir. Silikon tranzistörlerde bu sızıntı akımı çok küçük olduğundan, pratikte dikkate alınmaz. Bu grafiklerden akımların büyük olması durumunda delinme geriliminin küçüldüğünü de dikkate almamız gerektiği anlaşılmaktadır. Uygulamalarda tranzistörün her şart altında delinmeden çalışmasını sağlamak önemli bir noktadır. Baz (Base) Eğrileri Şekil 6(a) da baz-emetör gerilimine karşı baz akımı grafiği görülmektedir. Tranzistörde baz-emetör bölümü bir diyot olduğundan elde edeceğimiz grafiğin bir diyot eğrisine benzeyeceğini tahmin etmek güç olmayacaktır. Gözlemler de bu durumu desteklemektedir. Tranzistör içinde diyottan başka değişkenlerin de bulunduğunu unutulmamalıdır. Yüksek kolektör gerilimi bunun daha fazla elektron almasına neden olur ki, bu baz akımının azalmasına neden olur. Bu durum Şekil 6(b)'de görülmektedir. Verilen bir V BE için yüksek değerlikli bir V CE geriliminde baz akımının çok az miktarda azaldığı görülebilmektedir. Şekil 6: Baz eğrileri 4
5 Akım Kazanç Eğrileri Tranzistörün akım kazancı olarak da tanımlanan β DC değeri büyük değişim gösterebilir. β DC değerinin tipik değişimi şekil 7'de gösterilmiştir. Sabit bir sıcaklıkta, kolektör akımının artışı ile β DC maksimum değere ulaşır. I C akımı daha fazla artırılır ise β DC azalmaya başlar. Tranzistörün türüne bağlı olarak β DC deki değişim, olağan tranzistör akım değişimi içinde 3:1 oranına kadar olabilir. Şekil 7 de görüldüğü üzere, çevre sıcaklığındaki değişimin β DC üzerinde etkisi vardır. Verilen bir kolektör akımı için sıcaklığın artması, β DC değerini artırır. Geniş bir sıcaklık aralığında, tranzistörün türüne bağlı olarak β DC deki değişim, yaklaşık 3:1 oranı kadar olabilir. Dolayısıyla, hem sıcaklık hem de kolektör akımının önemli ölçüde değişimi durumunda, β DC deki değişim 9:1 oranında olabilir. Kesme ve Delinme Şekil 7: Akım kazanç eğrisi Şekil 5'de I B =0 olarak gösterilen eğri, şekil 8'de yinelenmiştir. I B =0 olması, baz terminalinin açık devre olması ile aynı anlamdadır. Baz devresinin açık olması halinde, kolektörden geçen akım I CEO ile gösterilir. Burada CEO harfleri, "baz devresi açık, kolektörden emetöre" anlamında kullanılır. Şekil 8: I B =0 durumunun incelenmesi Yeteri kadar büyük bir kolektör gerilimi ile BV CEO ile gösterilen delinme gerilimine ulaşılabilir (Şekil 8). Tranzistörün normal çalışabilmesi için V CE geriliminin BV CEO geriliminden küçük olması gerekir. Tranzistörlerin maksimum spesifikasyonlarını belirten teknik bilgilerin kapsamında BV CEO bilgisi yer alır. Tranzistörlerin türüne bağlı olarak, delinme gerilimi 20 volttan küçük veya 200 volttan büyük olabilir. 5
6 Genel bir kural olarak, yüksek emniyet payı bırakmak amacıyla, tranzistör tasarımında V CE geriliminin değeri, BV CEO değerinin oldukça altında tutulur. Devre tasarımında maksimum nominal çalışma sınır değerlerinde çalışmaya zorlanan bir tranzistörün kullanılma ömrü kısalır. Kolektör Doyma Gerilimi Şekil 9, kolektör eğrilerinden birini göstermekle beraber, aşağıdaki açıklamalar herhangi bir kolektör eğrisi için de geçerlidir. Eğrinin ilk bölümü doyma bölgesi olup, orijin ile dirsek arasında bütün eğrileri kapsar. Yatay düz bölüm, tranzistörün kontrollü akım kaynağı olarak görev yaptığı aktif çalışma bölgesidir. Son bölüm, delinme veya bozulma bölgesidir. Bu bölgeden her zaman kaçınılması gerekir. Doyma bölgesinde kolektör diyotu doğru polarizasyondadır ve tranzistör normal fonksiyonunu kaybeder, akım kaynağı yerine küçük bir direnç gibi görev yapar. Baz akımında ek bir artış kolektör akımında ek bir atış sağlamaya yetmez. Doyma bölgesinde kolektör-emetör gerilimi mevcut kolektör akımının değerine bağlı olarak, genellikle bir voltun birkaç onda biridir. Şekil 9: Doyma, aktif ve delinme bölgeleri ile kolektör eğrisi Tranzistörün aktif bölgede çalışması için kolektör diyotunun ters polarizasyonda olması gerekir. Bunun için yaklaşık 1 volttan biraz fazla bir gerilim yeterlidir. BJT Tranzistörlerin Karakteristik Değerleri Küçük işaret tranzistörleri ½ W değerinden daha az enerji harcarlar. V CEO : baz devresi açık kolektör-emetör gerilimi V CBO : emetör devresi açık baz-kolektör gerilimi V EBO : kolektör devresi açık baz-emetör gerilimi I C : kolektörün maksimum DC nominal (anma) akımıdır. P D : Tranzistörün maksimum nominal gücüdür. Tranzistörün harcadığı güç aşağıdaki şekilde hesaplanabilir: P D = V CE I C 6
7 Bir tranzistörün uzun ömürlü olması; tasarımının iyi olması yanı sıra, delinme gerilimi ile nominal çalışma gerilim arasında gerekli emniyet katsayısının sağlanmasına bağlıdır. Bu katsayı çoğu zaman 2 veya üzerindedir. Örneğin maksimum nominal gücü 300mW olan bir tranzistörde, bu katsayı 2 ise enerji harcaması 150mW altında olmalıdır. DC Yük Doğruları Kolektör eğrileri üzerine bir yük doğrusu çizerek, bir tranzistörün çalışma alanı ile çalışma özellikleri hakkında daha fazla bilgi edinilebilir. Şekil 10(a) da, V CC besleme gerilimi R C direnci üzerinden kolektörü ters yönde polarize eder. Bu direnç üzerindeki gerilim V CC V EC değerine eşit olur. Buna göre R C den geçen akım: I C = V CC V CE R C olur. Bu denklem, yük doğrusunun denklemidir. Örnek: Besleme geriliminin 10V, R C = 5 kω olduğunu varsayalım. Yük doğrusunun denklemi aşağıdaki şekilde yazılabilir. I C = 10 V CE 5000 V CE = 0 ise yük doğrusunun üst sınırı I C =0.002V = 2 mv, I C = 0 ise yük doğrusunun alt sınırı V CE = 10 V olarak bulunur. Yük doğrusunun üst sınırını bulmanın diğer bir yolu ise, Şekil 10(a)'daki tranzistörün kolektör-emetör bacaklarının kısa devre yapıldığını varsayarak, kolektör akımını hesaplamaktır. Bu durumda kolektör akımı V CC / R C olarak elde edilir. Yük doğrusunun alt sınırını bulmak için ise, kolektör-emetör terminallerinin açık olduğu varsayarak, kolektöremetör geriliminin hesabı yapılır. Bu durumda hesaplanacak gerilim, V BC gerilimine eşittir. Şekil 10:Tranzistörün yük doğrusu ve çalışma noktası 7
8 Kesme ve Doyma noktası Yük doğrusunun I B = 0 eğrisini kestiği yere kesme noktası denir. Bu noktada baz akımı sıfır olup kolektör akımı aşırı derecede küçük kalır (I CEO ile gösterilen sızıntı akımı). Kesme noktasında emetör diyotu doğru polarizasyondan çıkar ve tranzistör normal çalışma fonksiyonunu kaybeder. İyi bir yaklaşıklama ile kolektör-emetör gerilimi yük doğrusunun alt sınır değerine eşitlenir. Yani, V CE V CC Yük doğrusunun I B = I B(doy) eğrisi ile kesiştiği noktaya doyma noktası denir. Bu noktada baz akımı I B(doy) değerine eşittir. Kolektör akımı ise maksimum değerdedir. Doyma sırasında kolektör diyotu ters polarizasyondan çıkar, tranzistör normal çalışma fonksiyonunu yine kaybeder. İyi bir yaklaşıklama ile doyma anındaki kolektör akımını yük doğrusunun üst sınır değerine eşitlenir. Diğer bir değişle, I C(doy ) V CC R C olur. Şekil 10(b) deki I B(doy) terimi, doyma meydana gelmesi için gerekli baz akımını temsil eder. Baz akımı, I B(doy) akımından küçük ise tranzistör aktif çalışma bölgesinde kesme ve doyma noktaları arasındaki bir noktada, normal çalışma fonksiyonunu gösterir. Baz akımı I B(doy) akımından büyük ise, kolektör akımı mümkün olan maksimum değere (yaklaşık olarak V CC /R C değerine) eşit olur. Grafiksel olarak bu durum Şekil 10(b)'de görüldüğü üzere, I B(doy) akımından büyük her baz akımı, eğrisinin yük doğrusu ile kesişmesinde aynı doyma noktası bulunacaktır. Maksimum değişim DC yük doğrusu, bir tranzistörün maksimum çıkış sınırını da (aktif gerilim sınırı V CE ) gösterir. Şekil 10(b) de görüldüğü gibi tranzistörün maksimum çıkış gerilimi 0 ile yaklaşık V CC arasında değişir. Diğer bir deyişle, tranzistör akım verme özelliğini kaybettiği kesme ve doyma noktaları hariç, DC yük doğrusunun izdüşümü boyunca bir akım kaynağı görevi yapar. 8
9 UYGULAMA Tranzistörle Çalışma Deneyin Yapılışı: 1) Multimetrelerden birini DC ampermetre yapıp, A kademesine getirin ve A1 olarak kullanın. Diğer multimetreyi de DC ampermetre yapıp, ma kademesine getirin ve A2 olarak kullanın. 2) İki çıkışlı ayarlı DC kaynağı INDEP (iki çıkış bağımsız çalışmaz) olarak ayarlayın. Bunun için seçim düğmelerinin ikisi de basılı olmamalı.1 nolu çıkışı (soldaki) Vs1 olarak, 2 nolu çıkışı (sağdaki) Vs2 olarak kullanın. 3) Şekil 11 deki devreyi kurunuz. 4) Ayarlı DC kaynağı voltaj ayarlarını minimum değere getirerek devreye enerji veriniz. Şekil 11:Deney düzeneği 9
10 Tranzistörün I C V CE Karakteristiğinin Çıkarılması 5) Ayarlı DC kaynaktan Vs2 gerilimini (V CE ) gerilimini yavaş yavaş arttırarak, V CE gerilimini Tablo 1 de verilen 1V değerine getiriniz. 6) Vs2 gerilimini çok yavaş arttırarak A1 den I B =20 A değerine gelene kadar arttırınız. 7) Buna karşılık gelen I C akımını ölçünüz ve Tablo 1 e kaydediniz. 8) Vs2 gerilimini arttırarak I B =40 A ve I B =60 A için I C ölçümlerini tekrarlayıp Tablo 1'e kaydediniz. 9) 5,6,7,8 adımlarını Tablo 1 deki diğer V CE değerleri için de tekrarlayıp ölçüm işlemini tamamlayınız. 10) Tablo 1'de bulduğunuz değerler için β DC = I C / I B değerlerini hesaplayarak Tablo 2 ye yazınız. 11) Tablo1'deki değerleri kullanarak milimetrik kağıt üzerinde kolektör akımı eğrilerini çiziniz. (Şekil 5'de görülen değişime benzer bir grafik elde edilecektir. Çizimi V CE =1V dan başlatınız. V CE =0-1V arası ölçülmemiştir.) Ölçüm Sonuçları: Tablo 1:Çeşitli I B baz akımı ve V CE gerilimlerine karşı, I C kolektör akımı ölçümler I C, Kolektör akımı (ma) I B = 0 μa I B = 20 μa I B = 40 μa I B = 60 μa V CE = 1 V V CE = 3 V V CE = 6 V V CE = 9 V Tablo 2: Çeşitli I B baz akımı ve V CE gerilimlerine karşı, β DC kazancı I B = 20 μa I B = 40 μa I B = 60 μa β DC = I C / I B kazancı V CE = 1 V V CE = 3 V V CE = 6 V V CE = 9 V 10
EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 04: BJT TRANSİSTÖR VE AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıBölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıŞekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri
DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Diyotlar; bir yarısı N-tipi, diğer yarısı P-tipi yarıiletkenden oluşan kristal elemanlardır ve tek yönlü akım geçiren yarıiletken devre elemanlarıdır. N
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010
TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıEEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 01: DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
Detaylı1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri
DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.
DetaylıDENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ Alan Etkili Transistör (FET) Alan etkili transistörler 1 bir elektrik alanı üzerinde kontrolün sağlandığı bir takım yarıiletken aygıtlardır. Bunlar iki çeşittir:
DetaylıDENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ
DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ AMAÇLAR: ir transistor ün kolektör e baz eğrilerinin görülmesi. Transistor ün beta ( β) değerinin belirlenmesi. Sıcaklığa bağlı değişimlerin belirlenmesi.
DetaylıELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıDENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B
DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk
DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk AMAÇLAR Bipolar transistorleri kullanarak güncel bazı kutuplama devreleri tasarımı ve analizi. Kutuplama devrelerinin sıcaklığa karşı kararlılık
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
DetaylıŞekil 1. R dirençli basit bir devre
DENEY 2. OHM KANUNU Amaç: incelenmesi. Elektrik devrelerinde gerilim, akım ve direnç arasındaki ilişkinin Ohm kanunu ile Kuramsal Bilgi: Bir iletkenden geçen elektrik akımına karşı, iletken maddenin içyapısına
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıKOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri
Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.
DetaylıTRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)
TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT) Transistörler, katı-hal devre elemanlarıdır. Genelde transistör yapımında silisyum ve germanyum kullanılmaktadır. Bu dokümanımızda bipolar Jonksiyon transistörlerin temel yapısı
DetaylıT.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları
T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232
DetaylıELEKTRONİK LAB. I DİYOT KARAKTERİSTİĞİ
KURALLAR: Deneye isminizin bulunduğu grupla beraber, ilgili saat ve günde geliniz. Deney grubu değişiklikleri için (başka bir dersle çakışması vb. durumlarda) deneyden sorumlu öğretim elemanı ile görüşebilirsiniz.
Detaylı1) Seri ve paralel bağlı dirençlerin eşdeğer direncinin bulunması. 2) Kirchhoff akım ve gerilim yasalarının incelenmesi.
DENEY 3. DİRENÇLERİN SERİ VE PARALEL BAĞLANMASI Amaç: 1) Seri ve paralel bağlı dirençlerin eşdeğer direncinin bulunması. 2) Kirchhoff akım ve gerilim yasalarının incelenmesi. Kuramsal Bilgi: Elektrik devrelerinde
DetaylıÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--
ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6 --Thevenin Eşdeğer Devresi-- DENEYİN AMACI Deneyin amacı iki terminal arasındaki gerilim ve akım ölçümlerini yaparak, Thevenin eşdeğer devresini elde etmektir. GEREKLİ
DetaylıT.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT
T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ Deneyin Amacı: DENEY-1:DİYOT Elektronik devre elemanı olan diyotun teorik ve pratik olarak tanıtılması, diyot
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI
ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI 1. Direnç Renk Kodları Direnç Renk Tablosu Renk Sayı Çarpan Tolerans SİYAH 0 1 KAHVERENGİ 1 10 ± %1 KIRMIZI 2 100 ± %2 TURUNCU 3 1000 SARI 4 10.000 YEŞİL 5 100.000 ± %0.5 MAVİ
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)
BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre) Lineer modda, transistör DC devreleri için aşağıdaki şekilde gösterilir: Lineer modda Base Emitter
DetaylıDoğru Akım Devreleri
Doğru Akım Devreleri ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için elektromotor kuvvet (emk) adı verilen bir enerji kaynağına ihtiyaç duyulmaktadır. Şekilde devreye elektromotor
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıDENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI
DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik
Detaylı5/21/2015. Transistörler
Transistörler İki polarmalı yüzey temaslı transistörler, teknik ifadelerde BJT ( Bipolar Junction Transistör) olarak adlandırılmaktadır. Transistör birçok elektronik devrede uygulama bulan işaret yükseltme
DetaylıT.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU
T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV
DetaylıDENEY 2 UJT Karakteristikleri
DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. UJT nin iç yapısını ve karakteristiklerini öğrenmek. 2. UJT nin çalışma ilkelerini ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek 3. UJT karakteristiklerinin
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için
DetaylıZENER DİYOTLAR. Hedefler
ZENER DİYOTLAR Hedefler Bu üniteyi çalıştıktan sonra; Zener diyotları tanıyacak ve çalışma prensiplerini kavrayacaksınız. Örnek devreler üzerinde Zener diyotlu regülasyon devrelerini öğreneceksiniz. 2
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıDeğişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.
DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıBMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 7 ŞALTER OLARAK ÇALIŞAN TRANSİSTÖRLERİN KARAKTERİSTİKLERİ
DetaylıBölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri 7.1 DENEYİN AMACI (1) JFET in temel karakteristiklerini anlamak. (2) MOSFET in temel karakteristiklerini anlamak. 7.2 GENEL BİLGİLER 7.2.1 Yeni Terimler: (1) JFET
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
DetaylıGERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ
GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) :
BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler
Detaylı(BJT) NPN PNP
Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün
Detaylı1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde
DetaylıFotovoltaik Teknoloji
Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 5: Fotovoltaik Hücre Karakteristikleri Fotovoltaik Hücrede Enerji Dönüşümü Fotovoltaik Hücre Parametreleri I-V İlişkisi Yük Çizgisi Kısa Devre Akımı Açık Devre Voltajı MPP (Maximum
DetaylıBölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri
Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini
DetaylıKIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI
K.T.Ü ElektrikElektronik Müh.Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I KICHOFF'UN KIML E GEĠLĠMLE YSSININ DENEYSEL SĞLNMSI KICHOFF'UN KIML YSSI: Bir elektrik devresinde, bir düğümde bulunan kollara ilişkin akımların
DetaylıDENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi
DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı; Avometre ile doğru akım ve gerilimin ölçülmesidir. Devrenin kollarından geçen akımları ve devre elemanlarının üzerine düşen
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI
DetaylıBu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.
Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır. Uygulama -1: Dirençlerin Seri Bağlanması Uygulama -2: Dirençlerin Paralel Bağlanması Uygulama -3: Dirençlerin Karma Bağlanması Uygulama
DetaylıÜÇ-FAZ SENKRON JENERATÖRÜN GERİLİM REGÜLASYONU DENEY 324-05
ĐNÖNÜ ÜNĐERSĐTESĐ MÜHENDĐSĐK FAKÜTESĐ EEKTRĐK-EEKTRONĐK MÜH. BÖ. ÜÇ-FAZ SENKRON JENERATÖRÜN GERİİM REGÜASYONU DENEY 4-05. AMAÇ: Rezistif, kapasitif, ve indüktif yüklemenin -faz senkron jeneratörün gerilim
DetaylıŞekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı
DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için
DetaylıDENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ
DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi. Maksimum güç transferi teoreminin geçerliliğinin deneysel
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıDENEY 5 RC DEVRELERİ KONDANSATÖRÜN YÜKLENMESİ VE BOŞALMASI
DENEY 5 R DEVRELERİ KONDANSATÖRÜN YÜKLENMESİ VE BOŞALMAS Amaç: Deneyin amacı yüklenmekte/boşalmakta olan bir kondansatörün ne kadar hızlı (veya ne kadar yavaş) dolmasının/boşalmasının hangi fiziksel büyüklüklere
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler
DetaylıDENEY-4 WHEATSTONE KÖPRÜSÜ VE DÜĞÜM GERİLİMLERİ YÖNTEMİ
DENEY- WHEATSTONE KÖPÜSÜ VE DÜĞÜM GEİLİMLEİ YÖNTEMİ Deneyin Amacı: Wheatson köprüsünün anlaşılması, düğüm gerilimi ile dal gerilimi arasındaki ilişkinin incelenmesi. Kullanılan Alet-Malzemeler: a) DC güç
DetaylıDENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI
DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-21001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. Devre elemanı üzerinden akım akmasını sağlayan
DetaylıI R DENEY Ohm Kanunun İncelenmesi
DENEY 3 3.1 Ohm Kanunun İncelenmesi Not: Deneye gelmeden önce Kirchoff kanunları deneyinin tablosunda (Sayfa 7) teorik sonuçlar yazan kısmı Şekil 3.2.1 de verilen devre şemasına göre hesaplayıp doldurunuz.
DetaylıT.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. Sümeyye
DetaylıELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI
ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 2 Thevenin Eşdeğer Devreleri ve Süperpozisyon İlkesi 1. Hazırlık a. Dersin internet sitesinde yayınlanan Laboratuvar Güvenliği ve cihazlarla ilgili bildirileri
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıKTÜ OF TEKNOLOJĠ FAKÜLTESĠ ENERJĠ SĠSTEMLERĠ MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ FOTOVOLTAĠK SĠSTEM DENEY FÖYÜ
KTÜ OF TEKNOLOJĠ FAKÜLTESĠ ENERJĠ SĠSTEMLERĠ MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ FOTOVOLTAĠK SĠSTEM DENEY FÖYÜ DENEY-: PV Panellerin akım-voltaj (I V) eğrilerinin çıkarılması Amaç: PV panellerin farklı kombinasyonlarda
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
Detaylı